三星宣布第二代10nm级LPDDR4X DRAM已投入量产

近日，三星电子宣布正式开始了全球首款第二代10nm级别LpDDR4X DRAM芯片的量产。三星号称和目前广泛应用在当下旗舰手机中的LpDDR4X芯片比起来，第二代产品功耗降低了10%，并且依旧拥有最高4266Mb/s的数据传输率。

这是继三星在去年11月三星已经开始大规模量产业界首颗用于服务器的10nm级别8Gb DDR4 DRAM芯片后，三星再一次丰富自家10nm级别DRAM产品线。

随着这款芯片的量产，三星同时推出了全新的8GB LpDDR4X DRAM解决方案。新的解决方案包括有4颗这样的10nm级别16Gb LpDDR4X DRAM芯片（16Gb=2GB），由此组成的4通道DRAM拥有高达34.1GB/s的数据传输速率，并且厚度比上一代产品还能降低超过20%，让OEM厂商可以打造更强悍和更轻薄的移动设备。当然三星后续还会提供4GB、6GB的衍生版本。

随着这款芯片投入量产，三星位于韩国平泽市的新DRAM生产线也正式启动，以保证自身产能稳定和满足业界需求。

“10nm级别DRAM芯片能够进一步增强将于今年年尾至2019年初发布的次时代旗舰移动设备的表现，”三星电子存储销售与营销高级副总裁Sewon Chun表示，“我们会继续拓展我们高端DRAM产品线以引导‘高性能、高容量与低功耗’存储市场，且满足市场需求和强化商业竞争力。”